买卖IC网 >> 产品目录 >> IXXH60N65B4H1 IGBT 晶体管 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IXXH60N65B4H1

库存数量：可订货
制造商：Ixys
描述：IGBT 晶体管 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 晶体管
描述 IGBT 晶体管 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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制造商 Ixys
配置 Single
集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
集电极—射极饱和电压 1.7 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 116 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
功率耗散 380 W
最大工作温度 + 175 C
封装 / 箱体 TO-247AD-3
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 IXXH60N65B4H1
IXXH60N65C4
IXXH75N60B3D1
IXXH75N60C3
IXXH80N65B4
IXXH80N65B4H1
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公司名
电话
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  • IXXH60N65B4H1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价